Накопители
просто о сложном
Открыть все | Закрыть все
Главная
Статьи Программы

Новости в мире накопителей


Все новости

SSD Apacer Armor+ AS682 пополнил ряды накопителей с флэш-памятью TLC

| 2016-10-26 11:14:45 |

Ассортимент твердотельных накопителей компании Apacer пополнился новой серией Apacer Armor+ AS682....


Карта памяти Lexar Professional 2933x XQD 2.0 — Один из самых быстрых сменных носителей

| 2015-10-15 15:08:15 |

Компания Lexar представила карты памяти Lexar Professional 2933x и 1400x, соответствующие спецификации...


Новая флеш-память 3D NAND от Intel и Micron

| 2015-04-15 15:44:04 |

По официальным данным в этой памяти плотность упаковки данных превышает в три раза возможности технологий...


Lexar модели Professional 3400x - быстрая карта со скоростью передачи 512 мегабайт в секунду

| 2015-04-15 15:27:30 |

Данная флеш крта памяти создана для профессионалов, которые работают с объемными файлами и большим...


ФЛЕШКА С NFC-ЗАЩИТОЙ И VPN-ТОННЕЛЬ  С ПОМОЩЬЮ ДВУХ ФЛЕШЕК

| 2013-12-05 16:42:39 |

Интерес к необычным флешкам не ослабевает: весной этого года проект myIdkey собрал на...


"Кубы памяти" от IBM и Micron c применением технологии TSV | 2011-12-02 12:13:35

Компании IBM и Micron Technology объявили о намерении производить новую память, которая впервые будет изготовлена с применением технологии CMOS, используя межслойные соединения (through-silicon via, TSV).

«кубы памяти» Micron c применением технологии TSV

Эта память носит название Hybrid Memory Cube (HMC) Данная память разработана компаниями Micron и Intel совместно, однако в свою очередь, IBM является разработчиком технологии TSV. О подробностях данной технологии TSV компания IBM расскажет на днях - 5 декабря, это произойдет на IEEE International Electron Devices Meeting.

Компоненты для HMC планируется выпускать на фабрике IBM с примененнием 32-нанометрового техпроцесса HKMG, расположенной в штате Нью-Йорк.

В памяти HMC используются межслойные соединения , которые используются для связи между размещенными стопкой кристаллами DRAM и кристаллом со схемой высокоскоростного ввода-вывода. Эта компоновка дает значительный прирост производительности при одновременной миниатюризации размеров и снижении энергопотребления подсистемы памяти по сравнению с существующими решениями. При тестировании прототипов HMC получены следующие результаты: пропускная способность увеличивается в 10 раз, а энергопотребление сокращается на 70%. При этом HMC занимает всего 10% площади печатной платы, занимаемой обычными микросхемами DRAM того же объема.

В октябре 2011 года компании Micron и Samsung образовали консорциум Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), целью которого является разработка и продвижение открытой спецификации HMC.



Всего просмотров этой страницы: 1712. Сегодня: 4
Главная | About Us | Our Clients | | Price List | Contact Details
© 2010 USB-DISK.RU All Rights Reserved