Компании IBM и Micron Technology объявили о намерении производить новую память, которая впервые будет изготовлена с применением технологии CMOS, используя межслойные соединения (through-silicon via, TSV).
Эта память носит название Hybrid Memory Cube (HMC) Данная память разработана компаниями Micron и Intel совместно, однако в свою очередь, IBM является разработчиком технологии TSV. О подробностях данной технологии TSV компания IBM расскажет на днях - 5 декабря, это произойдет на IEEE International Electron Devices Meeting.
Компоненты для HMC планируется выпускать на фабрике IBM с примененнием 32-нанометрового техпроцесса HKMG, расположенной в штате Нью-Йорк.
В памяти HMC используются межслойные соединения , которые используются для связи между размещенными стопкой кристаллами DRAM и кристаллом со схемой высокоскоростного ввода-вывода. Эта компоновка дает значительный прирост производительности при одновременной миниатюризации размеров и снижении энергопотребления подсистемы памяти по сравнению с существующими решениями. При тестировании прототипов HMC получены следующие результаты: пропускная способность увеличивается в 10 раз, а энергопотребление сокращается на 70%. При этом HMC занимает всего 10% площади печатной платы, занимаемой обычными микросхемами DRAM того же объема.
В октябре 2011 года компании Micron и Samsung образовали консорциум Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), целью которого является разработка и продвижение открытой спецификации HMC.
